曝光（Exposure）： 来了！晶圆被送入光刻机的真空腔体内。在第48章中被制造出来的双工件台，以10G的恐怖加速度瞬间完成交换与定位，精度锁定在0.1纳米！紧接着，那束被完美镜组聚焦的、功率高达400瓦的EUV光束一闪而过，精准地将掩膜版上的图案“复印”到了光刻胶上。整个过程不到0.1秒。
显影（developnt）： 晶圆被送出，用特殊化学试剂洗去被光照射过的光刻胶，留下电路图案的“保护层”。
刻蚀（Etg）： 晶圆被送入等离子体刻蚀机，高能等离子体像微型雕刻刀，将没有光刻胶保护的二氧化硅层精准地刻蚀掉，形成沟槽。
离子注入（dopg）： 通过离子注入机，将磷、硼等离子打入暴露出来的硅中，改变其导电属性，形成晶体管的源极和漏极。
光刻胶去除（Strippg）： 清洗掉剩余的光刻胶，完成一层晶体管结构的制造。
这个“沉积-涂胶-曝光-显影-刻蚀-注入”的循环，在陈启明的操作下，如同行云流水。
为了构建复杂的3d晶体管结构，以及后续的金属连接层，这个循环需要重复进行上百次，甚至上千次。每一次循环，都在硅片上构建出新的一层“楼房”。
第四步：金属互连（I）。
当数十亿个晶体管在底层被制造完毕后，需要用金属导线将它们连接起来，形成真正的电路。
陈启明采用了最先进的铜互连与大马士革工艺。依然是光刻、刻蚀出沟槽，然后通过电镀的方式将铜填充进去，再通过化学机械抛光（p）将多余的铜磨平。一层又一层，如同构建城市中密密麻麻的立交桥网络。
第五步：测试与切割封装。
经过十几个小时不间断的自动化流程，整片晶圆的制造宣告完成。上面密密麻麻地排列着数百个指甲盖大小的芯片（die）。
晶圆被送到探针台，无数细如发丝的探针自动落下，对每一个芯片进行电学测试。
屏幕上显示的结果让陈启明满意地点了点头：【良率：100%】。
在外界，这是绝对不可能出现的奇迹。但在系统提供的完美环境下，一切都理所当然。
最后，晶圆被激光精准地切割成一个个独立的芯片核心。机械臂将其中一颗夹起，固定在基板上，通过金线连接引脚，最后用黑色的陶瓷材料进行封装。
当所有工序完成，一颗通体黝黑、闪烁着金属引脚光泽的方形芯片，静静地躺在了托盘上。
它看上去平平无奇，和市面上任何一块高端cpU没什么两样。
但陈启明知道，就在这个小小的黑色方块里，集成了超过五百亿个晶体管，蕴含着超越这个时代至少五十年的计算能力。
他伸出手，将这枚芯片轻轻捏在指尖。
它还带着一丝机器的余温，却仿佛承载着一个世界的重量。