四月二十八日，百工联席会议进入最后一日。
经过前两日的激烈讨论、成果展示与分组研讨，会议的焦点最终落在了《技术协作与课题攻关备忘录（内部草案）》上。
上午八点半，大礼堂内座无虚席。
与首日开幕时的好奇与审视不同，此刻会场内弥漫着一种更为凝练、务实的气氛。
代表们手中拿着厚厚的材料，低声交谈着，等待着对备忘录草案的审议。
这份草案，不仅仅是此次会议的成果总结，更将作为未来一段时间内，全国各顶尖厂校联合体协同攻关、避免重复投入、优化资源配置的重要指导性文件。
其意义非同小可。
“清华-红星”代表团依旧坐在靠前的位置。
刘星海教授神色平静，方教授、汤渺教授、赵老师等人也面容沉稳，但细看之下，眼中都藏着期待。
吕辰坐在刘星海教授后面，内心泛起阵阵波澜。
今天将是决定那四项“沧海遗珠”技术命运的关键时刻。
能否借助这个平台，将它们从被忽视的边缘推向国家战略的视野，在此一举。
主持人逐项宣读并解释备忘录草案的各个部分。
草案按照不同的技术领域和协作方向进行了归类，列出了各参会单位提出的主要技术需求、可共享资源以及初步达成的合作意向。
当念到“前瞻技术与基础研究”部分时，吕辰屏住了呼吸。
他听到了“光学微细图形曝光技术”“高纯度单晶硅区域熔炼技术”“真空薄膜化学气相沉积技术”以及“超精密电子束扫描定位技术”的名字被依次提及，但正如他之前所料，它们在草案中的描述相对简略，被归类于“精密仪器与材料基础工艺”范畴，优先级和重要性评估并不突出。
现场响起了一些低语，大多数代表对这些技术名称感到陌生，并未投入过多关注。
毕竟，在众多关乎钢铁产量、重型机械、能源动力的“硬核”课题面前，这些听起来偏向实验室、应用前景不明的“精细”技术，确实难以引起广泛共鸣。
就在这时，主持人话音稍顿，补充道：“关于这部分内容，清华大学的刘星海教授方面有一些补充说明的建议。另外，我们很高兴地通知大家，清华大学的钱先生今天也来到了我们的会议现场！”
话音未落，会场内响起一阵轻微的骚动。
钱先生！这位学贯中西、在力学、数学等多个领域享有盛誉的科学巨匠，他的到来无疑为此次会议增添了更重的分量。
所有人的目光都投向入口处，只见一位戴着眼镜、面容清癯、目光睿智的老者在工作人员陪同下，缓步走入会场，在前排预留的座位坐下。
他微笑着向周围点头致意，气质儒雅而平和。
刘星海教授起身与钱先生简短致意后，对主持人点了点头，随即转向吕辰，示意了一下。
该他上场了。
吕辰深吸一口气，站起身，整理了一下“青衿致远”的衣领，稳步走向发言席。
他的年轻让台下再次泛起涟漪，但经历过前两日的展示与交锋，已无人敢小觑这位“清华-红星”的年轻人。
“各位领导，各位教授，各位代表，”吕辰的声音透过麦克风传遍会场，“受刘星海教授委托，我就备忘录草案中‘前瞻技术与基础研究’部分涉及的四项特定技术，做一点补充说明，重点阐述其对于未来一项战略性产业：集成电路，可能具有的前瞻性意义。”
“集成电路？”台下许多人露出了疑惑的表情。
在1962年的中国，这个词对于绝大多数工业领域的人来说，还极为陌生。
吕辰没有过多解释名词，而是直接切入核心：“我们都知道，当前工业自动化的发展，依赖于复杂的控制系统。这些系统，无论是基于继电器逻辑还是我们正在攻关的‘掐丝珐琅’电路板，其核心功能是实现特定的逻辑运算和控制流程。但随着控制对象越来越复杂，对控制精度、速度和可靠性的要求越来越高，现有的技术路径正面临瓶颈。”
他顿了顿，环视会场，看到不少人开始认真倾听。
“未来的出路在哪里？在于将成千上万个，乃至百万、千万个晶体管、电阻、电容等电子元件，极其精密地制造和连接在一起，集成在一块可能只有指甲盖大小的半导体材料上——这就是集成电路。它本质上是一个超微型的、功能极其强大的电子系统，可以执行远比现有控制系统复杂和灵活的逻辑运算和信息处理。”
台下鸦雀无声，这个概念对于大多数人而言，如同天方夜谭，但又隐隐感觉到其背后蕴含的巨大潜力。
“然而，要实现集成电路的制造，我们面临着一系列极其苛刻的基础工艺挑战。”
吕辰话锋一转，指向了他精心准备的内容：“而令人振奋的是，我们在本次会议中，发现了可能解决这些核心挑战的技术雏形！”
他首先指向了“光学微细图形曝光技术”：“这项由长光所研发的技术，能在玻璃无器件上制造微米级图形，那么，他肯定也能在其他地方，刻蚀出复杂的电路图案！我们可以设想，通过不断提升刻蚀精度，我们就能够将设计好的电路图，刻蚀到半导材料上，定义出晶体管的源、漏、栅以及复杂的互连线。”
他顿了顿：“因此，我们认为，这就是集成电路图形化的基石！”
接着，他提到了“高纯度单晶硅区域熔炼技术”：“半导体所的这项技术，旨在获得纯度极高的单晶硅。请大家注意，硅，这种地球上储量丰富的元素，当其纯度达到极高水平并形成完美晶体时，是制造晶体管和集成电路的理想材料！”
他定性道：“它是承载集成电路的最理想基底，有了它，集成电路的研究就不再是无本之木。”
然后，他解释了“真空薄膜化学气相沉积技术”：“工业学院与真空电子所研究的这项技术，在真空环境下于基片表面沉积特定薄膜。我们认为，它可以用来在硅片上生长出优质的绝缘层，也能沉积出作为晶体管栅极的多晶硅，更能在层层电路之间沉积金属来实现互连。”
“这项技术，正是构建集成电路立体大厦，不可或缺的增材工艺！”